锴威特涨停/异动原因：
功率半导体设计+次新股
1、公司是采用Fabless经营模式的芯片设计公司，主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。
2、公司产品以高压平面MOSFET（40-1500V电压段覆盖）为主，在FRMOS（市场份额国产第四）、SiCMOS（国内少数覆盖650V-1700V产品设计）等其他细分MOSFET领域处于行业前列。公司拥有近500款不同规格的产品，广泛应用于小米、美的、昕诺飞、上能电气、威胜集团等企业。
3、高可靠领域主要包括宇航、军工、汽车、电力、轨交、石油化工等精度及其他要求较高的应用领域，公司在该领域主要布局了功率IC产品，另外包括少部分功率器件产品。
（更新时间：2023-10-19）

题材要点：

要点一:创新产品奖
凭借高性能的产品，公司荣获由中国电子信息发展研究院（赛迪研究院）评选的第十六届（2021年度）和第十五届（2020年度）“中国芯”优秀技术创新产品奖，由中国半导体行业协会，中国电子材料行业协会等机构联合评选的第十四届（2019年度）和第十二届（2017年度）中国半导体创新产品和技术奖。公司还获得了汉磊科技“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项，芯片设计和工艺调试能力得到业内知名晶圆代工厂的认可。公司研制推出的1500V超高压MOSFET产品“CS4N150”荣获第十二届（2017年度）中国半导体创新产品和技术奖，是当年“分立器件”类别八个获奖产品之一，也是唯一获奖的平面MOSFET产品，该产品2022年已形成批量销售。

要点二:功率半导体市场规模
功率半导体的应用十分广阔，涉及电路控制和电能转换的产品均离不开功率半导体的使用。根据Omdia的数据及预测，2021年全球功率半导体市场规模为462亿美元（主要包含功率器件，功率IC和功率模组），预计2024年将达到522亿美元。中国的功率半导体行业在国家相关政策支持，国产化替代加速及资本推动等因素合力下，取得了长足的进步与发展。根据Omdia数据及预测，2021年中国功率半导体市场规模为182亿美元，预计2024年将达206亿美元，中国作为全球最大的功率半导体市场，发展前景十分广阔。

要点三:市场份额
结合Omdia数据，以公司2020年MOSFET产品销售额测算，公司全球MOSFET市场的市场份额约为0.23%，结合芯谋研究和Omdia数据测算，公司2021年平面MOSFET国内市场占有率约为1.26%。根据江苏省半导体行业协会统计，以销售额计算，2021年公司FRMOS市场份额位列本土企业第四位（前三位分别为华润微，士兰微，华微电子），SiC功率器件方面，公司是国内为数不多的具备650V-1700V SiC MOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。

要点四:沟槽型MOSFET，超结MOSFET
公司MOSFET产品正在向沟槽型MOSFET和超结MOSFET进行延伸，目前沟槽型MOSFET已形成30V-150V电压规格的产品系列，超结MOSFET已形成600V-800V电压规格的产品系列。沟槽型MOSFET具有工作频率高，导通损耗小，开关损耗低，芯片体积小等特点，可广泛用于电动工具，智能家电主板等，公司产品已向前述领域客户形成销售。超结MOSFET可广泛用于新能源汽车充电桩，服务器电源，通讯电源，公司产品已向前述领域客户形成销售。

要点五:技术服务
公司在开发产品的同时，利用长期积累的设计经验和工艺开发能力，为客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务，公司技术服务主要覆盖高可靠领域客户，包含产品开发和工艺开发流片两类。产品开发：在该类技术服务过程中，由客户定义产品的功能和参数指标，委托公司对该产品进行设计开发，后续公司根据客户的具体需求，可以为客户提供制版，流片和测试验证等技术服务工作。工艺开发流片：客户基于晶圆厂已有工艺平台，需要开发新的器件或者其他工艺升级要求。在工艺开发流片的服务过程中，由公司负责新器件工艺开发或为客户提供其指定需求的工艺服务。后续由客户基于公司提供的工艺服务自行设计产品，并委托公司进行制版，流片的服务。而产品的测试验证等工作由客户自行负责。

要点六:未来发展与规划
公司将不断提升硅基MOSFET产品的技术和性能，开拓战略大客户，优化平面MOSFET，FRMOS等6英寸生产线的产品结构和应用领域，加强在超高压电压段的产品布局，技术积累和客户开发，进一步投入研发和完善沟槽型MOSFET，超结MOSFET的产品系列，寻求对应的8英寸，12英寸产线代工资源和客户资源，同时针对新能源汽车用的高压大电流的超结MOSFET的芯片封装技术展开布局研究，加大SiC产品的研发投入并且积极进行客户开拓，针对新能源汽车电源使用的1200V SiC MOSFET进行系列化开发，对围绕工业控制，智能电网，储能等领域使用的1700V-2500V SiC MOSFET进行系列化开发。公司将持续加大对PWM控制IC和栅极驱动IC等进行设计和工艺技术的研发，进一步丰富IP积累。公司将加大对IPM，光继电器（Photo MOS）等产品进行研发投入和市场开拓。

要点七:功率IC
公司拥有深厚的功率IC设计，研发经验。公司基于晶圆代工厂0.5um 600V SOI BCD和0.18um 40V BCD等工艺自主搭建了设计平台，公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成80余款功率 IC 产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证。公司的功率IC产品主要包含PWM控制IC和栅极驱动IC等，具有集成度高，可靠性高，工作频率高，工作电压范围宽，功耗低，工作温度范围宽（-55℃-125℃）等特点。公司PWM控制IC主要为隔离式开关电源芯片，主要功能是将输入电压的振幅转换成宽度一定的脉冲，用于驱动外部功率器件开关，使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定。